Au cours des dernières décennies, la conception et la recherche en ingénierie des implants dentaires ont connu d'importants progrès. Ces avancées ont permis d'atteindre un taux de réussite de plus de 95 % en plus de dix ans. L'implantation implantaire est ainsi devenue une méthode très efficace pour réparer les dents manquantes. Avec le développement massif des implants dentaires dans le monde, l'amélioration des méthodes d'implantation et de maintenance des implants est de plus en plus importante. Il est aujourd'hui prouvé que le laser joue un rôle actif dans l'implantation, la pose de prothèses et le contrôle des infections des tissus environnants. Les lasers de différentes longueurs d'onde présentent des caractéristiques uniques qui peuvent aider les médecins à améliorer l'efficacité du traitement implantaire et l'expérience des patients.
La thérapie implantaire assistée par laser à diode permet de réduire les saignements peropératoires, d'offrir un champ opératoire optimal et de raccourcir la durée de l'intervention. Parallèlement, le laser permet de créer un environnement stérile optimal pendant et après l'opération, réduisant ainsi considérablement l'incidence des complications et des infections postopératoires.
Les longueurs d'onde courantes du laser à diode comprennent 810 nm, 940 nm,980 nmet 1064 nm. L'énergie de ces lasers cible principalement les pigments, tels que l'hémoglobine et la mélaninetissus mousL'énergie du laser à diode est principalement transmise par fibre optique et agit en mode contact. Pendant le fonctionnement du laser, la température de la pointe de la fibre peut atteindre 500 °C à 800 °C. La chaleur est efficacement transférée aux tissus et incisée par vaporisation. Les tissus sont en contact direct avec la pointe de travail génératrice de chaleur, ce qui permet l'effet de vaporisation sans utiliser les caractéristiques optiques du laser lui-même. Le laser à diode de longueur d'onde 980 nm présente une meilleure absorption de l'eau que le laser de longueur d'onde 810 nm. Cette caractéristique rend le laser à diode de 980 nm plus sûr et plus efficace pour les applications d'implantation. L'absorption de l'onde lumineuse est l'effet d'interaction tissulaire le plus recherché ; plus l'énergie absorbée par les tissus est importante, moins les dommages thermiques environnants causés à l'implant sont importants. Les recherches de Romanos montrent que le laser à diode de 980 nm peut être utilisé en toute sécurité à proximité de la surface de l'implant, même à une énergie plus élevée. Des études ont confirmé que le laser à diode de 810 nm peut augmenter significativement la température de la surface de l'implant. Romanos a également signalé que le laser à 810 nm pouvait endommager la structure superficielle des implants. Le laser à diode à 940 nm n'a pas été utilisé en thérapie implantaire. Compte tenu des objectifs abordés dans ce chapitre, le laser à diode à 980 nm est le seul laser à diode envisageable pour une application en thérapie implantaire.
En résumé, le laser à diode 980 nm peut être utilisé en toute sécurité dans certains traitements implantaires, mais sa profondeur, sa vitesse et son efficacité de coupe sont limitées. Son principal avantage réside dans sa petite taille et son faible coût.
Date de publication : 10 mai 2023